- 陈南翔,刘佑宝
我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降低了一个数量级.
1987年03期 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 3104k] [下载次数：45 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 陈其宾,翁寿松
<正>近十年来,超突变结变容二极管在工业生产上解决了批量生产的问题,人们已经掌握了多种工艺方法制造出各具特点的超突变结变容管.用双外延法制作的调频变容管就是其中之一.它已经被广泛地应用在扫频器、移相器、可变延迟线,高灵敏自动频率控制和相位控制等电子线路中,并且成为这些电子线路中的关键性器件.
1987年03期 6-9+5页 [查看摘要][在线阅读][下载 175k] [下载次数：35 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 章宁
,唐明辉
<正>双栅MOS场效应管是近年来发展起来的很有前途的新器件.由于它具有工作频率高、增益可控、高跨导、高输入阻抗、低噪声系数、低反馈电容以及大动态工作范围等优点,被广泛地运用在甚高频和超高频的通讯电路中.例如:在电视接收机中作自动增益控制放大器、乘法检波器、彩色同步解码器、VHF与UHF调谐器中高频放大器、混频器以及图象中频放大器.特别当应用在VHF、UHF电子
1987年03期 10-14+23页 [查看摘要][在线阅读][下载 215k] [下载次数：453 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：0 ] - 赵振华
评述了A1、A1合金、Ag和Cu四种引线材料在半导体器件组装技术中作为球焊键合引线的前途.Cu的情况最喜人,Cu丝焊技术将应用到年导体器件的大批量生产中去.
1987年03期 15-19+5页 [查看摘要][在线阅读][下载 256k] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 陈存礼,彭辉,李联珠
本文报导了一种用30秒钟的快速合金化代替常规热合金化实现Al-Si欧姆接触的简捷方法.该法能有效地抑制导致浅结器件失效的Al-Si互扩散现象,工艺简单,效果良好,节电,省时、时间比常现热合金化缩短40倍.
1987年03期 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 1183k] [下载次数：39 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 白淑华
本文介绍了国外近几年来在光电三维集成技术方面的进展.对三线集成工艺技术进行了简要介绍.对于光电三维集成器件的设计考虑也做了简要叙述.
1987年03期 24-26+44页 [查看摘要][在线阅读][下载 185k] [下载次数：87 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 钟雨乐,骆伙有
本文介绍一套结构比较简单、适合实验室使用的筒园型等离子体刻铝及去胶系统,研究了用CCl_4作为铝刻蚀气体时,刻蚀速率与气体流量、放电电压、样品在反应室内几何位置的关系,并找到了最佳刻蚀条件.
1987年03期 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 161k] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 赵国柱,孙山东
本文简单介绍了高频VVMOS功率器件结构、性能方面的主要优点.并对该器件应用方向提出看法.指出此类器件比双极型器件优越所在.最后以VVMOS器件应用到步进马达驱动电路的实例说明了问题.但只是管中窥豹只见一斑.
1987年03期 31-33+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 221k] [下载次数：62 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] - 朱石雄
本文提出了具有较强通用性的尺寸检测用CCD信号处理电路.由于采用了差动放大浮动阈值、缺陷自动排除等技术,使照度变化及器件温漂等影响得到了自动补偿,从而输出精确的二值化信号.本文还提出用Z—80CTC直接处理二值化信号,实现处理电路与微机的中断联系接口.此外利用低速A/D、D/A实现了信号处理电路的程序控制,提高了测量精度,扩大了测量系统的适用范围.
1987年03期 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 183k] [下载次数：57 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 杨丽卿
<正>近来发现某些管芯失效的原因之一,是由于三探针击穿电压法给出的外延层电阴率数据与实际外延层电阻率数据不符而造成的.对此问题,我们利用美国SSM公司的ASR-100c/z自动扩展电阻探针对三探针测量过的外延材料进行了对比测量.分析讨论了三探针法的测量局限性.特别就大家容易忽视的“穿通”现象进行了讨论,同时亦介绍了采用扩展电阻法测试硅外延材料电阻率分布的优越性.
1987年03期 38-40+55页 [查看摘要][在线阅读][下载 173k] [下载次数：256 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：0 ] - 宿昌厚
<正>用Van der Pauw法测量半导体电阻率时,ρ值用下式计算:ρ=πW/ln2·(R_1+R_2)/2·f(R_1/R_2)(1)式中R_1(?)R_(AB·CD)= V_(DC)/I_(AB),R_2(?)R_(BC·DA)=V_(AD)/I_(BC),W是被测样品厚度,而f(R_1/R_2)函数具有下列形式:
1987年03期 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 118k] [下载次数：33 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 叶奇放,周志坤
<正>最近几年来,随着军用和民用电子设备对可靠性要求的日益提高,可靠性研究工作的不断深化,功率晶体管的热疲劳正在理论上和实践上越来越为国内所重视.七十年代前后,国外就对此课题进行了不少的研究工作.美国和日本相继将晶体管间歇工作寿命(热疲动)试验列为国家标准.例如美国的MIL-S-19500F标准和日本的JIS-C-7215标准(1980年)均把热疲劳作为耐久性试验的项目,美国的RCA公司的功率晶体管使用手册已提供了温度循环
1987年03期 45-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 263k] [下载次数：73 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 袁明文
<正>1966年,C·A·Mead首先应用GaAs材料,制造肖特基势垒FET(即GaAs MESFET).从此,该器件进入蓬勃发展的黄金时代.1976年,Plessey的R·S·Pengelly等报道了第一支GaAs X波段单片放大器.GaAs的分立器件大致可划分为低噪声MESFET和功率MESFET.
1987年03期 51-52+50页 [查看摘要][在线阅读][下载 175k] [下载次数：44 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 唐敏
<正>选用超高频小功率晶体管3DG15做工艺研究实验.实验的方法、结果及其分析如下.一、实验方法及结果1.基区低温氧化及硼扩散采用N/N~+型硅外延片:外延层厚度d外=9μ,电阻率ρ外=0.3～0.5Ω·cm,层错密度N层≤300个/cm~2.取Ⅰ、Ⅱ两批片,Ⅰ批片按常规工艺条件氧化,Ⅱ批片接改革工艺条
1987年03期 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 97k] [下载次数：55 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 余根海
本文主要介绍以氮化硅为介质、面积为0.2×0.3mm~2、0.44×0.5mm~2,容量为4～80pf的芯片电容的制备方法、性能、稳定性试验及其在直流到18G Hz范围内的各微波混合集成宽带放大器中的应用结果.
1987年03期 56-57+63页 [查看摘要][在线阅读][下载 138k] [下载次数：69 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 张崇玖,王亦钢,王明珍
<正>由于Si_3N_4薄膜具有结构致密,介电强度高,介电常数大、化学性能稳定等优点,因此Si_3N_4薄膜在大规模集成电路制造工艺中具有很重要的用途,它在局部氧化工艺中作为场氧化掩膜,在高温下能掩蔽B、Al、As、O等杂质扩散,能有效地防止N~+、K~+等离子的沾污,更是它突出的优点,因此它是一种较为理想的扩散掩膜和钝化膜
1987年03期 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 175k] [下载次数：48 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 王玉兰
<正>无尘抹布是在清洁房间使用的,是由日本ASAHI化学工业有限公司生产的,其型号为“BEMCOT”.这是一种高质量的抹布,特别适用于精密仪器的维护.这种抹布是由长钎维构成的,其特点是:1.擦拭仪器设备后不起毛,不脱落;2.吸液性和保液性强;3.不像合成钎维那样易于产生静电;4.非常柔软而不会使仪器设备擦伤;5.使用后可燃烧处理,没有毒气放出;6.可以擦洁很多种有机溶液,如丙酮、甲苯、丁酮等.
1987年03期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 39k] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 赵平海
<正>不久以前,国外报导了一种制作短沟道硅MESFET(金属半导体场效应晶体管)的自对准工艺方法,用此方法制得的MESFET的栅长为0.2μm,源漏n~+区的间距为1.2μm.实现了除衬底的给电容外的主要寄生元件都很小的短沟道FET.这个制作方法采用电子束曝光法使栅长缩短到亚微米,其关键是利用
1987年03期 62-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 106k] [下载次数：46 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 刘宽荣
<正>由美国商业部赞助的访问中华人民共和国物半导体生产设备和材料研讨会代表团于1987年2月14日～17日在北京进行了为期三天的技术座谈.该行政代表团是应电子工业部的邀请,并根据里根总统和赵紫阳总理1984年4月签署的《工业与技术合作协议》得到批准.
1987年03期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 55k] [下载次数：5 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] 下载本期数据