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<正> 高耐压大功率晶体管,除具有一般大功率晶体管的要求外,其显著的特点,就是具有高的反向击穿电压(数百伏至2千伏左右),大的二次击穿耐量,安全工作区宽,抗破坏强度强。它广泛应用于电视机中行输出,帧输出,高压变换,电源调整及雷达显示,高压开关,汽车点火等电子设备上。制造此类高压大功率管,虽然近年来在千伏级以内,人们已有用平面技术进行研制的。但从数百伏到二千伏级的高压大功率管,仍以台面结构为主。至于正斜角和负斜角两种台面结构,何种为优这是许多制造者十分关心的问题。
1977年04期 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 270k] [下载次数：34 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] <正> 用革命精神来搞科学技术工作 巩固无产阶级专政的基本任务之一,就是要努力发展社会主义经济。
1977年04期 2页 [查看摘要][在线阅读][下载 607k] [下载次数：17 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 维东
<正> 高精度光刻掩模的制造技术:在透明玻璃基板上用正性或负性光致抗蚀剂涂敷。使光致抗蚀剂形成图案,则要注入适当的离子,例如~(31)P~+、~(40)Ar等,随注入剂量的增大,抗蚀剂膜发生硬化变质(碳化黑化)对紫外线起掩蔽作用,同时,耐化学试剂的性能和机械强度都显著提高,能耐强酸和有机溶剂,具有和氧化铬同等的机械强度。用离子注入处理后碳化,黑化了的光致抗蚀剂图案成为光刻掩模的暗区。象~(49)BF_2~+这样的复数原子的离子也可以注入。在加速电压,剂量相同的情况下,离子质量越大效率越高。一方面、玻璃基板能被离子注入而无变化,光刻掩模的透明区对紫外光和可见光是一样的从而获得高精度掩模。
1977年04期 6页 [查看摘要][在线阅读][下载 48k] [下载次数：32 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 王文祥
<正> 一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以实现扩散。此法的优点是适合于大批生产。在平面工艺发展的初期,固态源箱法扩散,在扩散工艺中,曾处于支配地位。它的优点是均匀性、重复性较好;不足之处是由于受扩散箱容积的限制,每次扩散片数不多。液态源气体携带法和固态源箱法各有千秋。我们把二者结合起来,取其所长,形成了一种液态源硼扩散的新方法——大箱法扩散。就是把整个石英管看成是扩散箱,先采用液态源气体携带法,使石英管充分饱和;然后在不通源,只通入保护N_2的情况下,放入样品进行扩散。石英管每饱和一次,可以连续使用4～5小时以上。且具有重复性好,操作简便的优点。在硅平面管生产中,几年来,我们采用这一方法作硼扩散,已取得良好的效果。
1977年04期 7-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 171k] [下载次数：76 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 维东
<正> 据报导,日本合成了超LSI用的高灵敏度,高分辨率正性丙烯系电子束抗蚀剂。 新研制的抗蚀剂和PMMA一样,用丙烯系正性型,在甲基丙烯酸的酯基部分,由3个以上碳原子的分岐状烷基叉连接环已基,提高对电子束的灵敏度,而且把电子束照射到的那部分键切断,这样做也容易。显影时溶解度一提高分辨率也提高了。总之,采用这种新方法制造的抗蚀剂,对微小的电子束也敏感,和没有电子束照射到的那部分溶解度相差很大,这是显影时能得到锐利图形的原因。
1977年04期 11页 [查看摘要][在线阅读][下载 41k] [下载次数：10 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] <正> 氧气等离子去胶技术是等离子体半导体片表面处理技术的一种。在半导体工艺流程中,必将经过多次的光刻工序,而光刻胶去除技术的优劣直接影响到器件的质量和成本。所以,采用去除光致抗蚀剂的新技术就特别引起人们的重视。 往常,去胶的方法不外以下几种: a.有机溶剂溶解法;
1977年04期 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 132k] [下载次数：320 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] -
<正> 我们知道,n~+埋层扩散后,接着进行N-型外延层的生长,并把它作为集成电路中晶体管的集电极用。 由此可见,外延层质量对电路性能有相当大的影响。事实上,电路中所有元件都是制作在这个N-型外延层中,而不是衬底中。 然而,要作出特性好的外延片,石墨基座的处理又是头等重要的问题之一。 我们采用渗硅法处理石墨。石墨结构的松紧对渗硅有很大的影响。结构松的石墨能渗入很多的硅,但大量硅渗入后,由于膨胀系数的不同常造成断裂。结构紧的石墨硅很难渗入,只能在石墨表面熔掉堆结。
1977年04期 15-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 65k] [下载次数：50 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 詹权松
<正> 一、前言 随着双极大规模集成电路的迅速发展,隔离技术更加显示出它的重要性。普通的隔离方法,隔离区面积约占整个芯片的1/2以上,限制了集成度的提高。而PN结隔离,隔离面积大,寄生电容大,直接影响IC向大规模高速度方向的发展。怎样改善隔离性能,降低寄生参量,提高集成度,成为人们迫切需要解决的问题。
1977年04期 17-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 2407k] [下载次数：26 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] -
<正> 一、引言 半导体器件采用塑料封装在国内许多器件厂已比较普遍了,因为它比金属玻璃或陶瓷封装工序少,工艺简单成本低,并利于生产的机械化和自动化。还可为国家节约大量金属材料。 我厂试制塑料封装工艺,时间也比较长了,在上级领导部门和兄弟单位的帮助下,近几年来也取得一些进展。目前较多的是用于线性电路的产品上,例如已经批量生产的电视机集成电路八个品种全用塑料双列直插封装结构。经过例行试验考核,证明机械性能、封装性能基本满足技术要求。下一步我厂还打算逐步应用到MOS集成电路上去。
1977年04期 23-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 1051k] [下载次数：65 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] <正> 一、前言 根据科研工作需要,我们开展了对硅(n/N~+)亚微米外延层厚度的测量研究。测量的困难在于:在衬底和外延层交界面附近,存在着杂质浓度缓变区,使得准确地确定界面,从而,准确地确定层厚,产生了误差。这个误差,在测量亚微米外延层时,不容忽视。因而,不能简单地将测量较厚层的方法,应用于它。
1977年04期 29-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 2056k] [下载次数：41 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] -
<正> 在英明领袖华主席提出的抓纲治国,实现全国大治的战略决策的鼓舞下,深揭狠批“四人帮”,“工业学大庆”形势一派大好,四四三○厂二车间机电维修组的同志们对全厂过去使用的各种扩散炉进行了全面的分析,总结出了六点不足之处,不能适应当前生产的需要。工人们急生产之所急,想生产之所需,大搞技术革新,对全部旧式扩散炉进行了技术改造。同时,发扬独立自主,自立更生的精神,依靠咱们工人自己的力量,试制成了两台采用平板式可控硅控制高温的三点三端式高温扩散炉。
1977年04期 36页 [查看摘要][在线阅读][下载 568k] [下载次数：57 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] <正> 和河北工学院共同设计的炉体为球形门式结构的液压传动高压单晶炉,该炉炉体设计承受压力为100公斤/厘米~2。合成及拉晶的运动部分采用高压动密封装置,以保证在高压下炉体不漏气,并能予抽至10~(-4)乇以上真空和完成合成及拉晶操作。炉体内共有三个机械手,以完成合成时的操作和进行籽晶屏蔽。观察孔采用5厘米厚石英玻璃,孔径为3～5厘米。合成及拉晶的加热均采用电阻加热方式,功率约30千瓦,温控采用稳定输入功率的办法,最高温度可达1500℃左右。
1977年04期 37-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 356k] [下载次数：40 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] -
<正> 一、概述 随着光学、电子等工业的迅速发展,电子束加热方法在真空镀膜技术中也得到了较快的发展和应用,这是因为电子束作为热源能获得远比电阻加热更大的能量密度,并可避免坩埚杂质对蒸发源的沾污。 产生电子束的装置称为电子枪,根据枪体结构不同,可分三种:直形(自加速式)电子枪、环形(静电式)电子枪和最近发展起来的偏转电子枪。三种电子枪的性能比较略见表1。
1977年04期 44-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 742k] [下载次数：227 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] <正> 掺杂多晶硅技术又叫做DOPOS(Impurity Doped Polycrystalline Silicon)技术。 近几年来,用此种半导体器件技术成功地制出了f_T为8000兆赫的单个晶体管和由f_T为1000～3000兆赫晶体管构成的集成电路。因而DOPOS技术已引起国内外的重视。 本文仅就DOPOS工艺及特点、DOPOS淀积及检测分析、DOPOS扩散等问题做一简略介绍。
1977年04期 66-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 1475k] [下载次数：63 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] -
<正> 一、引言 化学汽相淀积技术,人们又习惯地称为CVD技术。 早在上个世纪末,有人就做过汽相淀积高熔点金属及其它化合物的试验。一百多年来,随着整个科学技术的发展,CVD技术的发展也很快,到现在为止,几乎所有物质都可以采用CVD技术。 近来,在半导体工艺中,CVD技术已占有与其它单项工艺相同或更高的组合工艺的地位。其原因是由于半导体工艺特别是集成电路工艺已成为极其微型化的技术,微细控制的必要性日益增大,而CVD技术的良好的控制性正好是解决这些问题的最适当的方法,因此,CVD技术不仅在半导体工艺方面,而且在更广阔的领域受到了重视,自
1977年04期 72-89页 [查看摘要][在线阅读][下载 1499k] [下载次数：463 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] <正> 在“半导体技术”第三期上发表的“致读者中”,我们谈到本刊从77年第四期开始开辟《问题与讨论》专栏以后,石家庄无线电二厂热情支持,积极投稿,在此表示欢迎和感谢! 石家庄无线电工厂在来稿中提出了他们当前生产中,为提高产品质量所遇到的几个问题我们认为具有一定的代表性。发表出来,请读者同志们共同讨论,交流经验,共同提高。殷切希望从事3DK_4生产和外延工艺的同志们踊跃发表意见。 希望读者同志们大力支持,积极供稿,协助我们把专栏办好。
1977年04期 90页 [查看摘要][在线阅读][下载 38k] [下载次数：6 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]