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<正>电子工业部第十三研究所地址:石家庄市合作路十三号电话:27921转各分机电挂:1166所长:毕克允主要产品:微波低噪声晶体管,微波功率晶体管、线性集成电路、CCD固体摄象传感器、长波长激光器、发光管、光电管、砷化镓单片集成电路,及使用以上产品为主的整机和磷化铟材料等.
1986年04期 2-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 152k] [下载次数：10 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 曾庆明
当平面P-N结反向偏置,特别是反向击穿时,常常出现反向优安特性曲线随时间的蠕变,反向电流大大增加.本文给出了各种结构图形和结构参数对这种蠕变影响的实验结果,并分析讨论了其产生机构.
1986年04期 2-5+10页 [查看摘要][在线阅读][下载 272k] [下载次数：102 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 刘炳国
本文给出了横向晶体管设计模型,讨论了集电极断节效应和基区表面场效应,实验表明,设计薄的基区宽度,选用长方形或圆形发射极,配合相应的断节集电极结构是多集电极横向晶体管的优化设计方案,采用场效应板同时覆盖本征基区表面和断节集电极的基区表面,是提高多集电极横向晶体管电流增益的重要有效途径.
1986年04期 6-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 267k] [下载次数：87 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 茅有福,邹昌球
以FOO7模拟集成电路作为实例,运用资料[1,2,3]中介绍的曲线轨迹失效分析方法,对不合格品的失效原因进行分析,以便反馈给生产线改进工艺,提高产品合格率和可靠性.
1986年04期 11-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 254k] [下载次数：15 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 孙隽
<正>据美国RCA公司报导,该公司研制出了一种先进的MOS工艺,这种工艺使六角形单元紧密地组合在一块芯片上.采用此工艺已经批量生产了性能改进的新型功率MOS场效应管.采用称做“Mega FET”的工艺,RCA可以制造出每平方英寸具有一百万个单元的MOSFET,该公司还计划在明年制造出单元密度更高的器件.以前,封装密度被限制在每平方英寸50万个单元的范围内.现在在给定面积内单元数急剧增加,大大减小了功率MOS场效应管的源
1986年04期 15页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k] [下载次数：14 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 毛宏春
<正>集成电路正向高性能、高集成度、高速度和低功耗方向迅速发展.由于其图形加工技术的提高和CAD技术的实用化,使芯片面积进一步增大,各元件间连线所占面积的比例也必然大大增加,因而采用较小的金属间距(条宽十间隙)和多层布线技术便成为一种必不可少的工艺手段.尤其对双极LSI,低功耗、微细化和多层布线更是关键的工艺基础,对提高成品率、降低成本尤为重要.
1986年04期 16-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 378k] [下载次数：86 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] -
<正>在三十多年的时间里,电子计算机已经经历了电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路四代.现在,正在研制新一代——第五代电子计算机.第五代电子计算机预计九十年代即可进入实用阶段.第五代电子计算机是超大型规模集成电路、人工智能、软件工程、新型计算机系
1986年04期 20-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 156k] [下载次数：7 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 于振国
<正>长期以来,金属铝由于其电性能好、成本低、易加工、易淀积和半导体硅及二氧化硅具有良好的粘附能力等优点,作为互连金属和欧姆接触材料,它被广泛地应用于半导体集成电路的制造工艺中.然而,纯铝金属化方案在实际应用中,特别在大规模集成电路的制造中尚存在许多不足之处,如在温度和大电流密度下易引起电迁移效应,造成铝金属互连线的断裂
1986年04期 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 248k] [下载次数：55 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 沈能珏
<正>据美国航天公司电子研究室报道,他们最近研制出一种价格低廉、加热均匀性优良、适用于MOCVD系统的新型加热器——石英包封加热器,其结构示于图1、2将这种加热器用于MOCVD系统,制备
1986年04期 24页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 李一之,关中凡,黄贤芳,梁胜辉,柯行生,陈文艳,曾绍洪
利用固态相变原理,采用常规设备和真空保护气氛两步热处理方法,在硅单晶衬底上形成大面积连续、均匀的二硅化镍单晶薄膜.应用电子通道分析技术和电子衍射技术,研究二硅化镍单晶薄膜晶格完整性,指出上述形成NiSi_2的方法相对通常仅用真空或保护气氛热处理的方法而言,兼具高效率和高晶格完整性的优点.
1986年04期 25-30+34-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 4706k] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 殷晨钟
本文介绍采用辉光放电(G.D)法淀积含氢非晶硅(α-Si:H),并将其应用于硅器件的表面钝化,结果表明,采用α-Si:H钝化,特别是以α-Si:H作为SiO_2的二次钝化层,可使器件的表面态密度显著下降,反向漏电流降低约一个数量级,且可减少可动钠离子沾污的影响,得到较好的高温反偏性能.此外,还对α-Si:H的钝化机理作了一定的探讨.
1986年04期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 228k] [下载次数：21 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 廖晓华
本文详细报导了SP-1型片状磷源用于晶体管发射区扩散的实验方法及实验结果.实验证明片状磷源在扩散均匀性、重复性以及扩散浓度可调节性等方面,均优于三氯氧磷液态源.实验也证明了片状磷源扩散不仅能满足大功率晶体管发射区所要求的深结、高浓度扩散,而且能提高产品成品率和优化电参数.
1986年04期 35-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 260k] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 刘风歧
随着生产集成电路芯片的大型化,生产光刻用的大型化铬掩模显得尤为重要了.本文介绍了用硬接触法复印大型化格掩模的设备和工艺条件,并对复印中的问题进行了分析.对所生产的4吋和5吋的铬掩模复印精度测量,其图形尺寸容差是±0.2微米.
1986年04期 40-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 220k] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 黄永书,罗荣芳,章志浩,金大康
<正>随着大规模集成电路的发展,对划硅芯片的精度要求更高.目前应用的砂轮划片机划片精度和效率都较高.使用的刀片是含金刚石的金属环状(～φ50.8×40mm)薄片,厚度为20～50μm.根据对进口镍-金刚石刀片的剖析,确定采用复合电镀法研制镍基金刚石刀片.2.实验方法实验所用阴极为不锈钢园环,阳极是电解镍板.镀槽放在超级恒温槽中,温度控制在±0.5℃.
1986年04期 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1134k] [下载次数：156 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：0 ] - 克奥
<正>瑞典Innovance公司多年来一直与世界上很多研究机构合作,设计和制造用于半导体外延以及特性分析的先进设备.其主要产品有液相外延(LPE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,室温霍尔效应计,深能级瞬态仪,工作于4K的低温高阻抗霍尔效应计,光致发光台及用于DDMR的装置.在此着重介绍MOCVD设备.
1986年04期 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k] [下载次数：34 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 甘普生
<正>塑封器件在我国已大量生产,但由于塑封材料来源及其填充料成份极为复杂,在生产中难免带进某些对器件性能及结构有害的金属杂质如Na、Cu、Fe、Ni、Cr及腐蚀性阴离子Cl~-、SO_4~-等,这些杂质存在于塑封材料中常感到不便处理、控制和分析,分析和处理技术是一个值得探讨的问题.为此本报告专门探索几种灵敏度高、经济实用、便于普及的微量化学分析方法,经过实验及对各厂样品进行实测得到比较理想的结果.
1986年04期 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1073k] [下载次数：27 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 丁建良
<正>目前国外集成电路(IC)封装的主流是塑料封装,而且最常用的是环氧树脂低压递模法(transfer molding)的树脂封装.IC80%,分立器件90%以上,民用器件几乎100%采用塑料封装.其中环氧塑封占90%,硅酮塑封已退居次要地位.这种变化是由于管芯制造技术(钝化技术等)的进步和塑封材料可靠性的提高,日益扩大了塑封的适用范围.国外64KDRAM原来完全采用陶瓷封
1986年04期 51-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 222k] [下载次数：78 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 高廷健
<正>美国贝尔通信研究公司的科学家经多年研究和试验,最近发表一项晶体材料制作工艺流程技术,用以生产高纯度半导体材料.这项工艺技术在薄片上生成晶体层程序中,放弃了传统的制作方法,代之以先进的浮法片原理,受到世界半导体工业界的广泛瞩目.这项新工艺流程称为汽化漂浮取向附生.贝尔通信研究公司已就此制造出如铟镓砷晶体这类高纯度半导体材料.迄今世界上还没有第二家公司或实验室能提取出纯度如此高的材
1986年04期 54页 [查看摘要][在线阅读][下载 59k] [下载次数：32 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 李春发,王文琴
<正>一、概述汽相回流焊是利用饱和蒸气冷凝时放出的热量来加热被焊元件实现焊接的一项新技术.其工艺特点是:1.热换效率高 汽相回流焊的热交换率约为100Btu/hr·ft~2F,比液体浸焊高50%,比辐射和对流加热焊高15倍.2.焊接温度均匀稳定 所有元件均被加热到相同的最高温度——FC液体的沸点.
1986年04期 55-59+50页 [查看摘要][在线阅读][下载 2044k] [下载次数：89 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 卢秉梅
<正>InGaAsP/InP 二极管激光器(LD),因其发射波长覆盖了石英光纤的低损耗、低色散区,所以成为当前大家很感兴趣的课题.各种类型的InGaAsP LD已经研制出来,其中掩埋新月型(BC)激光器是最有前途的激光器之一.这是由于它具有低阈值电流、稳定基横模振荡和高温下实现稳定连续(CW)工作等优良特性.作为实际应用,则要求InGaAsP/InPLD长寿命.为此,人们做了许多研究工作,并已报导了一些直到70℃高温的老化实验结果.
1986年04期 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 180k] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] 下载本期数据