- 孙芳魁;姜巍;赵晖;张守涛;
对在现代无线通讯系统中应用的无源元件集成化的主要解决方案进行了介绍与分析,并对比了半导体薄膜集成技术与厚膜集成技术的主要优缺点,以研发的一种薄膜集成RCD低通滤波芯片为例,介绍了薄膜集成无源元件的设计方法和主要工艺流程。
2006年04期 241-244页 [查看摘要][在线阅读][下载 53K] [下载次数：168 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：0 ] - 张睿;钱省三;
运用波特(Michael Porter)产业竞争优势分析的理论与方法--"钻石"模型,比较分析我国半导体制造代工产业竞争优势的形成与发展以及进一步演化的过程。并指出了半导体制造代工的产业竞争优势各个要素的良性互动和强化是我国实现半导体强国的必由之路。
2006年04期 245-249+267页 [查看摘要][在线阅读][下载 170K] [下载次数：296 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] - 霍文晓;徐晨;杨道虹;赵林林;赵慧;沈光地;
键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合。再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合。硅片键合强度达到了体硅的强度。实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果。
2006年04期 250-252+263页 [查看摘要][在线阅读][下载 77K] [下载次数：177 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 陈杨;李霞章;陈志刚;
通过均相沉淀法制备了不同粒径的CeO2超细粉体,并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光。研究了不同粒径CeO2磨料对GaAs晶片的抛光效果,并对GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理进行了探讨。结果表明,使用超细CeO2磨料最终在1μm×1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra值为0.740nm的超光滑表面,而且抛光后表面的微观起伏更趋于平缓。实验证明,超细CeO2磨料对GaAs晶片具有良好的抛光效果。
2006年04期 253-256+267页 [查看摘要][在线阅读][下载 84K] [下载次数：243 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：20 ] |[阅读次数：0 ] - 乔治;刘彩池;张彦立;史严;
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。
2006年04期 257-259页 [查看摘要][在线阅读][下载 50K] [下载次数：96 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：0 ] - 陈国斌;
随着SOC芯片故障概率的增加,嵌入式存储器的修复变得越来越重要。介绍了嵌入式存储器修复技术的基本原理,分析了现行各种修复策略,并指出了各自的优缺点,讨论了其发展方向。
2006年04期 260-263页 [查看摘要][在线阅读][下载 69K] [下载次数：112 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：0 ] - 胡平生;宗润福;
沈阳芯源公司是中科院沈阳自动化所引进韩国技术创立的集成电路装备企业,主营产品是光刻工艺中的匀胶显影设备。芯源创立3年来取得了很大的发展,产品已成功销往中芯国际(SMIC)等用户。SEMICON CHINA 2006展会期间,我们在沈阳芯源公司的展位上专访了芯源公司总经理宗润福。
2006年04期 264-265页 [查看摘要][在线阅读][下载 34K] [下载次数：46 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 陈亮;许宗贤;
蔚华科技由许宗贤先生创建于台湾,在台湾半导体及TFT-LCD产业已累积了多年的丰硕的技术及经验,提供IC及TFT-LCD产业从IC设计、晶圆制造、封装、测试、生产资讯系统整合及平面显示器等高科技产业研发、制造,及整合型解决方案。蔚华科技每年以优于整体产业平均表现保持稳定成长,持续成为市场的领导者。为充分满足客户需求,蔚华科技行销服务据点遍及全球主要高科技产业发展重镇,包括美国、中国大陆、日本、韩国、新加坡以及香港等地,为客户提供最及时和最佳的全方位支援服务。恰逢Semicon China 2006在上海召开之际,本刊通讯员有幸采访了蔚华科技的董事长许宗贤先生。
2006年04期 266-267页 [查看摘要][在线阅读][下载 32K] [下载次数：17 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - Peter;2006年04期 268页 [查看摘要][在线阅读][下载 27K] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 聂磊;史铁林;廖广兰;钟飞;
研究了玻璃中介圆片键合的方法。当采用低转化温度的玻璃粉末为中介玻璃层时,可在410℃实现强度较好的硅圆片键合,而如果将温度提高到430℃,键合强度可以达到4MPa。
2006年04期 269-271+294页 [查看摘要][在线阅读][下载 107K] [下载次数：140 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 潘茹;李明娟;吴坚;刘英坤;
随着半导体器件在雷达、航空航天等领域的大量应用,对芯片焊接的可靠性提出了越来越高的要求。本文对半导体器件芯片焊接(粘贴)方法作了简要介绍,对几种常用方法进行了比较。并主要针对在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金焊接失效模式及其解决办法进行了讨论。
2006年04期 272-275+279页 [查看摘要][在线阅读][下载 101K] [下载次数：818 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：27 ] |[阅读次数：0 ] - 王宁;
在边界扫描测试技术中,由非BS器件组成的逻辑簇的测试是难点问题。介绍了一种逻辑簇测试诊断软件的原理、过程和应用,并通过实例验证了其有效性与可靠性。
2006年04期 276-279页 [查看摘要][在线阅读][下载 91K] [下载次数：80 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：0 ] - 王广武;
针对半导体集成电路运算放大器失效模式指出了其测试方法,通过分解半导体集成电路运算(电压)放大器、电压比较器测试电原理图,说明了该类器件的一些主要性能参数测试原理,介绍了在生产实践中测试技术应用方法和注意事项,提出了生产单位怎样建立完整的运算放大器IC测试系统的构想。
2006年04期 280-283页 [查看摘要][在线阅读][下载 58K] [下载次数：727 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：0 ] - 许伟达;2006年04期 284-286页 [查看摘要][在线阅读][下载 158K] [下载次数：454 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：26 ] |[阅读次数：0 ]
- 朱小珍;朱樟明;柴常春;
设计并讨论了一种高速CMOS全差分运算放大器。设计中采用了折叠共源共栅结构、连续时间共模反馈以及独特的偏置电路,以期达到高速及良好的稳定性。基于TSMC0.25μm CMOS工艺,仿真结果表明,在2.5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增益为71.9dB,单位增益带宽为495MHz(CL=0.5pF),建立时间为24ns,功耗为3.9mW。
2006年04期 287-289+299页 [查看摘要][在线阅读][下载 104K] [下载次数：1348 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：20 ] |[阅读次数：0 ] - 蔡洁;廖小平;朱健;
利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联,形成MEMS双膜开关。通过对其尺寸和结构的优化,降低开关阈值电压,Coventor软件模拟表明,开关的阈值电压小于20V;通过对其匹配设计改善开关的高频性能,HFSS软件模拟的结果表明,在DC～20GHz整个频带内,开关的插入损耗优于-0.1dB,反射损耗低于-30dB,隔离度低于-20dB,在谐振点处隔离度能达到-40dB。
2006年04期 290-294页 [查看摘要][在线阅读][下载 154K] [下载次数：95 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 赵文山;何怡刚;晏进喜;李必安;
提出了一种用开关电流电路实现连续小波变换的方法,将连续小波变换转化为用带通滤波器组对信号进行处理,并用开关电流电路实现该带通滤波器组。文章采用基于第二代开关电流技术的带通滤波器组实现了8通道的Marr小波。仿真结果表明该滤波器组具有恒Q值,且每个带通滤波器的中心频率与理论值大致相符,从而证实了该方法的可行性。
2006年04期 295-299页 [查看摘要][在线阅读][下载 154K] [下载次数：147 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：0 ] - 孙建刚;
基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜。该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述。采用大约3.5V/μm的低通场在电流强度为0.1μA/cm2处获得有效场致发射。在约12.5V/μm的叠加场下,PS薄膜的发射电流密度达到1mA/cm2。实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能。
2006年04期 300-302+309页 [查看摘要][在线阅读][下载 122K] [下载次数：88 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] - 刘志华;
提出了一种基于半导体制冷器的"纯净电源"方案,该电源具有电气安全性能优异,抗干扰能力强,输出纯净,寿命长,体积小等特点。指出了其能源转化效率低。负载能力低,需采用适当的高温防护措施等应用局限性,并给出了模型测试结果。
2006年04期 303-304+314页 [查看摘要][在线阅读][下载 71K] [下载次数：173 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 徐宁仪;冷祥纶;周祖成;
片上网络为具有多个处理单元的高速并行片上系统提供一种结构化的片上通信与互连的方法。当前丰富多样的通信实体的选择、建模和仿真,对于精确评估和优化片上网络的整体性能非常重要。本文提出了一种基于SystemC的片上网络仿真和评估构架,以结构化、自动化的方式,支持基于当前通信实体的N o C仿真和设计流程。
2006年04期 305-309页 [查看摘要][在线阅读][下载 125K] [下载次数：325 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：32 ] |[阅读次数：0 ] - 马哲;蔡敏;
根据模拟硬件描述语言Verilog-A的特点,抽取欲设计锁相环各模块的关键参数并加入到利用Vegilog-A建立的相应模块的行为级模型中,并且根据晶体管级仿真结果对行为级模型中的参数进行实时修正,建立了比较精确的中心频率为100MHz的PLL行为级模型。
2006年04期 310-314页 [查看摘要][在线阅读][下载 73K] [下载次数：208 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：0 ] - 朱漪云;成立;祝俊;李岚;王振宇;
提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器。该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级。测试结果表明,放大器功耗降为230μW／ch,电源电压降低0．7V左右,等效噪声电荷(ENC)小于600电子电荷。
2006年04期 315-318+286页 [查看摘要][在线阅读][下载 374K] [下载次数：221 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 2006年04期 319-320页 [查看摘要][在线阅读][下载 54K] [下载次数：20 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年04期 320页 [查看摘要][在线阅读][下载 31K] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年04期 320页 [查看摘要][在线阅读][下载 31K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- Peter;2006年04期 321-324页 [查看摘要][在线阅读][下载 222K] [下载次数：16 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年04期 325-326页 [查看摘要][在线阅读][下载 91K] [下载次数：14 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年04期 327-329页 [查看摘要][在线阅读][下载 26K] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年04期 330页 [查看摘要][在线阅读][下载 60K] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年04期 331-334页 [查看摘要][在线阅读][下载 32K] [下载次数：15 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年04期 335-337页 [查看摘要][在线阅读][下载 28K] [下载次数：14 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
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