- 邓志杰
介绍了作为半导体材料应用的ＳｉＣ的主要性能、晶体生长研究进展及器件研制现状。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 108k] [下载次数：608 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：25 ] |[阅读次数：0 ] - 宋登元
综述了近年来有源矩阵液晶显示器、场发射显示器和发光二极管显示器的研究进展，重点介绍了它们的工作原理、结构和某些关键制备技术，并对它们的发展前景作了简要的展望。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 79k] [下载次数：86 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] - 穆甫臣,李志国,郭伟玲,张万荣,孙英华,程尧海,严永鑫
报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退化的ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ的失效分析。结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小，表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高，接触材料也日趋丰富，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的失效分析方法也有明显改进。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 157k] [下载次数：181 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：0 ] - 孙自敏,刘理天,李志坚
短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力。通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构、特性的研究，发现凹槽拐角对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压及特性有着显著的影响。凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压。凹槽拐角的曲率半径是凹槽ＭＯＳＦＥＴ一个重要的结构参数。通过对凹槽拐角的曲率半径、源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计，可使凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ不仅能完成抑制短沟道效应，而且具有相当好的输出特性和Ｓ因子，使这种结构适合于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ器件。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 92k] [下载次数：108 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：0 ] - 廖克俊,王万录,吴彬
研究了有机半导体ＬＰＰＰ光微腔调谐发光二极管光致发光的性质。经过对电极的改进不仅能发射红绿蓝三色光而且使发光峰宽度大为减小。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 54k] [下载次数：49 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 姜岩峰,李思渊,李海蓉,刘肃
从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺、结构设计有指导意义。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 67k] [下载次数：65 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 孙德明,肖梦秋,汪荣昌,戎瑞芬
Ｐｔ常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触。在常温下，Ｐｔ／ＴｉＯ２界面处的电子电导对Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基势垒高度的变化非常敏感。本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能，并讨论了因水在Ｐｔ／ＴｉＯ２界面处的化学吸附，引起表面Ｆｅｒｍｉ能级改变，影响Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基势垒的高度，从而导致了Ｉ－Ｖ曲线变化的物理过程，对器件制造过程中的工艺问题也有所论述。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 90k] [下载次数：122 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 刘康
功率肖特基势垒整流二极管具有许多优越的性能，在工艺制做中也有其一定的特殊性。本文就该类产品的主要技术性能及其工艺制做特点进行了概述。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 35k] [下载次数：289 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：0 ] - 陈文华
应韩国半导体产业协会邀请，中国半导体行业协会组织了以毕克允副理事长为首的十人代表团于１９９８年６月１５日至６月２２日考察了韩国的半导体产业。参加考察的还有厦门永红微电子公司的王阿盘总经理、北京半导体器件九厂的丁成隆厂长、江阴长江电子有限公司的王新潮总...
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 40k] [下载次数：181 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] - 张顺
我厂是一家国营企业，生产中、小功率晶体三极管。在改革开放、搞活市场经济的大潮中，自我积累，滚动发展，以市场为导向，以质量作保证，以销售为中心，不断扩大生产规模，取得了较大的发展。我厂已有２０多年的历史。到１９９０年时，工厂的设备陈旧，生产效率低下，几...
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 25k] [下载次数：15 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 陈德英
介绍了ＥＰＷ腐蚀系统浓硼自停止特性及其在微机械加工中的应用。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 75k] [下载次数：270 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：0 ] - 邹德恕,高国,陈建新,沈光地,张京燕,杜金玉,邓军
介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 68k] [下载次数：38 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 陈杰,戴文战
用高阻ｐ型硅（ρ＝１２０００Ωｃｍ）单晶材料制作了ＭＯＳ结构器件，对样管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在０．４Ｖ偏压下，光照前后的电容相对变化率为３９．５％。而用低阻ｐ型硅制成的样管，在同样条件下，电容的变化量不大。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 46k] [下载次数：41 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 母继荣
分析了ＩＣ的氮气密封烧结工艺过程中存在的问题，并提出了改进措施，使密封烧结成品率提高了２４％。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 35k] [下载次数：36 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 李先文,黄强
用磷钨酸涂覆离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）制成药物敏感场效应晶体管（ＤｒｕｇＦＥＴ）。该器件具有全固态化、易微型化、集成化和多功能化等特点。用其对药物制剂的含量进行测定，所得结果和药典分析结果一致。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 50k] [下载次数：23 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 王春梅,吴琼,张淑珍,朱春富
采用等离子体发射光谱法和交流电弧发射光谱法相互配合测定了５种ＩＣ用高纯试剂过氧化氢、双氧水、硝酸、盐酸和氢氟酸中的１７种杂质元素的含量。采用络合剂和富集技术，研究了降低空白和降低检测限的措施，检测限均达到ｎ×１０－１０。
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对非超高真空条件下在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理条件。
1998年05期 [查看摘要][在线阅读][下载 50k] [下载次数：71 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 郭炳辉,王毅
通过计算机产生一定脉冲重复频率的窄脉冲来测试ＧａＡｓＦＥＴ或ＰＨＥＭＴ的Ｉ－Ｖ特性，能大大克服器件在直流状态下的热效应和电子陷阱效应，对器件大信号建模和器件机理分析具有重要意义，着重论述了测试仪的硬件、软件设计和实际使用效果。
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