- 2006年06期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 467K] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 默江辉;蔡树军;
综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况,叙述了栅终端场板和源终端场板的功率附加效率(PAE)、截止频率fT、最大振荡频率fMAX、增益等微波特性的不同点,获得了最佳场板结构以及场板连接方式。
2006年06期 401-405页 [查看摘要][在线阅读][下载 382K] [下载次数：900 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：39 ] |[阅读次数：0 ] - 邱孟通;P.Choi;
分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm。指出了极紫外光源是极紫外光刻的核心设备,目前的主要研究方向是提高能量转换效率和输出功率,提高系统各部分的寿命,降低成本等。
2006年06期 406-408+417页 [查看摘要][在线阅读][下载 131K] [下载次数：636 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：0 ] - 王冲;郝跃;冯倩;郭亮良;
对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于80°且刻蚀表面均方根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。
2006年06期 409-413页 [查看摘要][在线阅读][下载 155K] [下载次数：1332 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：26 ] |[阅读次数：0 ] - 来五星;廖广兰;史铁林;杨叔子;
反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的工艺措施。
2006年06期 414-417页 [查看摘要][在线阅读][下载 89K] [下载次数：3256 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：122 ] |[阅读次数：0 ] - 王振宇;成立;祝俊;李岚;
综述了几种目前已得到应用和正在发展中的电子束曝光技术,包括基于扫描电镜(SEM)电子束、高斯电子束、成型电子束和投影电子束曝光技术等,并分析比较了这些技术各自的特点、应用及发展前景。
2006年06期 418-422+428页 [查看摘要][在线阅读][下载 114K] [下载次数：2595 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：47 ] |[阅读次数：0 ] - Peter Wu;Mike Evon;
最近科利登公司无疑是ATE行业内最风光的企业之一,在世界各地可谓捷报频传。在今年3月的SEMIChina2006期间,科利登公司展出了其先进的适合中国市场的系列测试平台,获得了中国用户很好的评价。其亚洲区营运总经理兼公司副总裁MikeEvon也专门抽时间与本刊记者进行了沟通和交流,下面是笔者整理的采访记录。
2006年06期 423-424页 [查看摘要][在线阅读][下载 283K] [下载次数：24 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 张西慧;刘玉岭;李洁;
研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积。GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜形成的络合物稳定性质并不完全一致。加入螯合剂后,铜离子与螯合剂不仅在溶液中反应,而且在硅片表面形成竞争吸附,对铜离子在硅片表面的沉积量影响较大。
2006年06期 425-428页 [查看摘要][在线阅读][下载 45K] [下载次数：142 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 宋慧滨;唐晨;易扬波;孙伟锋;
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。
2006年06期 429-431+440页 [查看摘要][在线阅读][下载 120K] [下载次数：228 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：0 ] - 瞿欣;娄浩焕;陈兆轶;祁波;Tae kooLee;王家楫;
按照JEDEC标准对板级跌落实验的要求测试了有铅和无铅焊点的球栅阵列封装。用ANSYS软件建立了有限元分析模型,并用ANSYS/LS-DYNA直接求解器计算了典型结点的应力和应变,以及每次跌落时积累在焊点中的平均应变能密度。利用实验和模拟的结果重新计算了Darveaux模型中的常数,将这个模型的应用范围扩展到了跌落环境,并计算了各种条件下焊点的疲劳寿命。
2006年06期 432-436页 [查看摘要][在线阅读][下载 394K] [下载次数：421 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：22 ] |[阅读次数：0 ] - 张博文;田立卿;
通常将微波电路置于金属封装之内。如果该封装波导谐振模恰好位于电路工作频率范围之内,电路与封装谐振模间的耦合将干扰电路的工作。在腔内放入覆有膜电阻的介质基片,可以有效地削弱封装谐振模,避免了放入吸波材料的传统方法给军用、宇航用毫米波电路带来的可靠性和机械加工难题。膜电阻的吸波性能取决于膜电阻方阻值和介质层厚度,使用数值方法计算得到应用该方法削弱后的最低阶封装谐振模的品质因数。
2006年06期 437-440页 [查看摘要][在线阅读][下载 343K] [下载次数：72 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 王宁;张扬;伍逸枫;
逻辑簇的边界扫描测试存在一些不可忽视的重要问题。分析了这些问题的影响,提出了相应措施,并介绍了结合BIST技术进行逻辑簇测试的方法。
2006年06期 441-443+451页 [查看摘要][在线阅读][下载 153K] [下载次数：86 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：0 ] - 程新红;宋朝瑞;俞跃辉;姜丽娟;许仲德;
针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOILDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×1012cm-2。对结构优化的PSOILDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到16V,器件有源区的温度降低了50℃。结构优化有利于提高器件性能和降低器件的开发成本。
2006年06期 444-447+459页 [查看摘要][在线阅读][下载 96K] [下载次数：122 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 赵润;郭芳;杨红伟;花吉珍;
采用转换矩阵的处理方法,对大功率半导体激光器腔面光学灾变阈值与膜层结构的关系进行了分析。从理论上给出了膜层的设计方法和计算结果,解释了不同腔面反射率对应的腔光学灾变阈值变化的实验结果,并首次提出后腔面的优化结构以避免后腔面烧毁。
2006年06期 448-451页 [查看摘要][在线阅读][下载 112K] [下载次数：201 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 王福源;杨玉叶;时伟;王玮;
高分辨率时间数字转换系统(TDC)采用环形延时门单元(RGDS)高分辨率系统,在可编程器件(PLD)上实现,解决了延时门的综合、延时时间的离散性等问题。由于设计、实现和集成电路工艺无关,所以可以方便地移植到其他系统和PLD芯片中。本设计在Altera公司的CPLD芯片上的仿真测试表明,时间分辨率最高可达3.5ns。本实验通过了时序仿真和硬件测试。
2006年06期 452-455+466页 [查看摘要][在线阅读][下载 159K] [下载次数：201 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：0 ] - 谢媛媛;高学邦;方园;刘文杰;任怀龙;
数控单片移相器的设计技术具有较大的特殊性与复杂性,必须依靠计算机辅助设计提高设计的准确性。对数控单片移相器的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了电路设计效率的提高及电磁场验证等问题,为数控单片移相器的研制提供了实用的解决方案。应用这一研究成果,成功开发出高性能X波段单片五位数字移相器。
2006年06期 456-459页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K] [下载次数：136 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：0 ] - 陈志伟;蔡敏;
介绍了基于10Base-T标准接口放大电路的设计。描述了传输信号和设计电路的特性以及整体电路的结构,分别阐述了各个模块的电路设计,其中详细阐述了放大和整形电路的设计。最后给出了整体版图后仿真的结果。
2006年06期 460-462+469页 [查看摘要][在线阅读][下载 209K] [下载次数：75 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ] - 穆维新;方向前;韩建勋;
数字电视机顶盒是传统模拟电视时代向数字电视时代过度的必然选择,它由硬件平台、软件平台和智能卡三部分组成,主要完成数字电视信号的解调、解码和表现等功能。分析其组成原理的基础上,提出了数字电视机顶盒的一种优化设计方案。
2006年06期 463-466页 [查看摘要][在线阅读][下载 80K] [下载次数：190 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：0 ] - 2006年06期 467-469页 [查看摘要][在线阅读][下载 70K] [下载次数：33 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年06期 470页 [查看摘要][在线阅读][下载 238K] [下载次数：10 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年06期 470-472页 [查看摘要][在线阅读][下载 359K] [下载次数：16 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年06期 472页 [查看摘要][在线阅读][下载 62K] [下载次数：31 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年06期 473-474页 [查看摘要][在线阅读][下载 116K] [下载次数：14 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年06期 475页 [查看摘要][在线阅读][下载 68K] [下载次数：12 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年06期 476-478页 [查看摘要][在线阅读][下载 172K] [下载次数：24 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 2006年06期 479-481页 [查看摘要][在线阅读][下载 178K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
下载本期数据