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2002年07期目次

  • 企业成功的关键在于掌握核心技术——访中兴通讯微电子研究所栾心芙教授

    朱天蔚 ,吴波

    2002年07期 1-2页 [查看摘要][在线阅读][下载 32k]
    [下载次数:76 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:0 ]
  • 2002 synopsys中国用户大会在京召开

    2002年07期 2页 [查看摘要][在线阅读][下载 20k]
    [下载次数:17 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:0 ]
  • 入世后的中国半导体产业——中美半导体国际研讨会

    张伟

    2002年07期 3-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 41k]
    [下载次数:62 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:0 ]
  • 未来中国半导体工业和全球半导体增长的引擎——中国半导体行业协会乐山先进半导体封装技术研讨会侧记

    吴波

    半导体工业的前端制造业受到很大的关注而且轰动效应也大,然而后端的如封装技术,对整个半导体行业的影响是不可忽视的。此次乐山先进半导体封装技术研讨会上讨论的内容在行业内具有一定的参考意义。

    2002年07期 4-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 37k]
    [下载次数:79 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:0 ]
  • 低电压、低功耗高速A/D转换器及其应用前景

    李彦旭,成立,巴大志

    通过对四种低电压、低功耗高速ADC的速度、功耗及精度分析比较,对它们的应用做了分析。通过对我国ADC发展情况的分析,提出了我国今后ADC发展的方向。

    2002年07期 6-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k]
    [下载次数:231 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:25 ] |[阅读次数:0 ]
  • SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究

    谢自力

    研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。

    2002年07期 10-12+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 57k]
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  • 快速退火对钛酸铋薄膜微结构和铁电性的影响

    苏学军,李岩

    采用MOCVD与快速退火工艺,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。运用x射线衍射术分析薄膜材料的结构,x射线显微分析仪测量薄膜材料的组分,并通过电滞回线的测量,研究快速退火对BiTiO薄膜结构和铁电性的影响。

    2002年07期 13-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 54k]
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  • ULSI硅衬底的化学机械抛光技术

    狄卫国,刘玉岭,司田华

    介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺。对抛光机理、影响抛光速率和抛光质量的因素、抛光液中的成份特别是精抛液中的有机碱和活性剂的选择作了讨论分析,另外对抛光中出现的一些问题及解决方法进行了分析研究。

    2002年07期 18-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 52k]
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  • 氢氟酸在新型清洗工艺中的作用

    曹宝成,于新好,马洪磊,张庆坤

    介绍了HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中对硅片表面的作用,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下,1108波数处的吸收都是不同价态硅氧化物的复合吸收,用HF稀溶液浸泡后清洗的硅片,复合吸收变成仅有二氧化硅的吸收。

    2002年07期 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 34k]
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  • 一种新的隔离结构表面平坦化技术

    王哲,程序,亢宝位,吴郁,王玉琦

    为克服目前隔离结构平坦化技术在工艺控制、平坦化质量等方面存在的问题,提出了一种新的隔离结构表面平坦化工艺,即利用稠光刻胶做掩膜,结合反应离子刻蚀技术与湿法腐蚀技术,实现不同厚度隔离结构的平坦化。结果表明隔离结构边缘陡峭,硅表面平坦均匀。

    2002年07期 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 60k]
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  • 中资联贷8.3亿美元敲定宏力八吋晶圆年底前投产

    2002年07期 28页 [查看摘要][在线阅读][下载 34k]
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  • 蓝牙技术的实际应用和产品开发

    沈连丰,宋铁成,徐平平,宋扬,胡静

    简述了蓝牙SIG和蓝牙标准的进展,给出了蓝牙技术的应用模型和实际应用,归纳了蓝牙产品的开发步骤,最后,介绍了我们已经研制完成的基于蓝牙技术的演示和开发平台(DDP)、PSTN电话网关(PSTN_GW)、局域网接入点(LAN_AP)和教学实验平台(TTP)等产品。

    2002年07期 29-32+43页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k]
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  • 用CPLD实现PCI总线仲裁器

    康东明,李彤,丁有志,杨镇西,谢兵

    介绍了PCI总线仲裁的工作机制,并且根据旋转优先算法用VHDL语言进行CPLD设计,通过作者实际研发项目WAS(无线应用服务器)单板的应用,论证了其可行性和稳定性。

    2002年07期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k]
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  • 数字集群逻辑控制器测试仪CPLD设计

    赵毅,牟同升,刘庆江

    简要介绍了集群逻辑控制器的功能,并详细阐述了集群逻辑控制器测试系统的重要部分,可编程逻辑器件(CPLD)的设计。设计好的可编程逻辑器件具备同步串口通信的功能,从而使测试系统能够与串行外围接口通信。

    2002年07期 36-38+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 62k]
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  • 基于CPLD的新型场发射平板显示器的控制驱动系统

    倪曼,张军,胡思正

    介绍一种新型场发射平板显示器件FAHED,利用CPLD作为核心,设计了器件的控制驱动系统,并采用计算机模拟的方法对系统的性能进行了检测,验证了设计的正确性和可行性。

    2002年07期 39-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 104k]
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  • SDH系统帧同步的研究与ASIC实现

    何颖,屈万里,罗杰

    介绍了SDH系统中的帧同步器的设计思想,依据ITU-T关于SDH技术体制的建议,分析并计算了STM-1帧同步器的几个重要参数,选择了合适的帧同步码组。并在此基础上,采用ASIC设计方法设计实现了用于SDH系统的STM-1的并行帧同步器,并进行了仿真模拟。

    2002年07期 44-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 56k]
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  • 中兴通讯微电子研究所

    2002年07期 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 27k]
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  • 基于FD216芯片的自适应均衡器的实现

    何平

    描述了基于FD216 数字信号处理器的LMS 自适应均衡器系统。该系统是在FD216 EZ-LABEvaluation Board 上实现的,充分发挥了芯片的专用硬件逻辑、专业化的指令集作用,有效快速地完成了仿真ISI的自适应均衡,突出反映了FD216 芯片的高速数字信号的处理能力。

    2002年07期 50-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 36k]
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  • 美国国家半导体的蓝牙堆栈合作计划不断壮大

    2002年07期 52页 [查看摘要][在线阅读][下载 22k]
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  • 一种带LCD驱动的8位微控制器

    居水荣

    介绍了我们设计的带LCD驱动的8位MCU 的特点及功能框图,并从硬件的角度分析了微控制器的内核部分的硬件结构,又从软件的角度给出了寻址方式和指令系统,最后对一些外围模块作了简要介绍。

    2002年07期 53-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 61k]
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  • 集成数字温度监测电路

    张学军,曾云

    设计了一种集成数字温度监测电路,解决传统温度传感器的非线性问题,实现了温度自动检测和数字显示。

    2002年07期 59-60+64页 [查看摘要][在线阅读][下载 41k]
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  • 硫钝化GaAs MESFET的机理研究

    邢东,李效白,刘立浩

    研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。

    2002年07期 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k]
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  • 非晶硅太阳电池的衰减与退火

    吕宝堂,赵晖,郑君,贾兆滨,邹邦涛

    讨论了影响非晶硅太阳电池稳定性的因素,介绍了改善非晶硅材料稳定性的方法,进行了非晶硅太阳电池光致衰减测试。描述了电流注入退火和热退火对非晶硅太阳电池性能的改善。

    2002年07期 65-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 33k]
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  • 铜在苯并三唑抛光液中的抛光速率及其影响因素

    何捍卫,胡岳华,黄可龙

    研究了铜在抛光液中的电化学行为。结果表明,抛光液化学组成为1%HNO3+1%BTA+0.2%H2O2较适宜。研究了腐蚀介质硝酸、成膜剂苯并三唑、H2O2、磨粒g-Al2O3的浓度、抛光压力及抛光转速对铜化学-机械抛光速率的影响,解释了各种因素的影响机理。

    2002年07期 68-72+67页 [查看摘要][在线阅读][下载 66k]
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  • PECVD法低温形成SiOxNy介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

    陈蒲生,张昊,冯文修,刘剑,刘小阳,王锋

    采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。

    2002年07期 73-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 52k]
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  • 业界动态

    2002年07期 77-78页 [查看摘要][在线阅读][下载 33k]
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  • 产品博览

    2002年07期 79-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 51k]
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