- 周朝阳;冯全源;
当输入电压或者负载电流变化时低压差线性稳压器(LDO)系统稳定性是其研究热点和设计难点。针对这一问题,设计了一款加入动态补偿电路的快速响应LDO,这种新颖的LDO结构能有效改善在不同负载电流或者输入电压下系统的稳定性能。其适用电压范围为4.5~16.0 V,输出电压5.0 V,具有低功耗、带宽宽等特性。使用Hspice软件对设计的LDO进行了仿真验证,在典型工艺角下,负载电流经100 m A/μs突变时,输出电压突变量最大为105 m V,响应恢复时间平均约2.1μs。环路特性仿真结果表明,该LDO带宽为4.9 MHz,3 d B带宽为3.5MHz,相位裕度为约76°,且片内补偿电容仅0.3 p F。
2015年10期 v.40;No.326 739-743页 [查看摘要][在线阅读][下载 837K] [下载次数：436 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：24 ] |[阅读次数：0 ] - 方山;吴玉平;陈岚;张学连;张琦;
提出了一种标准单元的电路-版图设计自动优化技术。根据目标电学性能等确定电路中器件的参数值,然后根据参数变化微调现有的标准单元版图,快速自动生成符合设计规则的新版图。该技术可从新版图中获取电路寄生参数,对电路的电学性能进行评估,进一步提高电路-版图设计自动优化速度。测试表明,该技术既可以用于加速标准单元建库和设计移植,也可以支持对更高层的SOC设计进行延时和功耗的在位优化,加速设计收敛,可缩短开发周期。
2015年10期 v.40;No.326 744-748+782页 [查看摘要][在线阅读][下载 1216K] [下载次数：289 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ] - 孔令甲;要志宏;高长征;陈书宾;
结合混合微波集成电路(HMIC)工艺和砷化镓单片微波集成电路(MMIC)工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数。限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率。利用微波仿真软件,设计制作了兰格(Lange)电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路。最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7~3.5 GHz内增益27~28 d B,噪声系数小于1.3 d B,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15%的脉冲功率冲击。
2015年10期 v.40;No.326 749-753页 [查看摘要][在线阅读][下载 672K] [下载次数：370 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：0 ] - 胡心仪;林殷茵;
随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小且最优标准单元版图。如何精确测量相同标准单元的不同版图的器件波动具有很大的挑战。提出了一个高分辨率、高速且测试便利的器件波动检测电路,用来对6种优化LPE引入的器件波动影响的标准单元版图进行测试。电路在28 nm工艺上进行了流片验证,电路面积为690μm×350μm,并对全晶圆进行了测试。通过分析NMOS和PMOS的测试结果,对比了不同版图形式应对LPE影响的效果,进而为代工厂设计和优化标准单元版图,尽可能减小LPE引入的器件波动提供参考。
2015年10期 v.40;No.326 754-758页 [查看摘要][在线阅读][下载 928K] [下载次数：117 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：0 ]
- 王月霞;刘玉岭;王辰伟;闫辰奇;
针对不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响。在12英寸铜镀膜片和TM1图形片上分别研究氧化剂体积分数对表面平坦化的影响。实验结果表明:动态抛光速率和静态腐蚀速率均随着氧化剂体积分数的增加先逐渐增大,达到最大值,然后下降,趋于平缓。片内非均匀性和剩余高低差均随H2O2体积分数的增加,先呈下降趋势,后缓慢上升。当氧化剂体积分数为3%时,动态去除速率(vRR)为398.988 nm/min,静态腐蚀速率vER为6.834 nm/min,vRR/vER比值最大,片内非均匀性最小为3.82%,台阶高低差最小为104.6 nm/min,此时晶圆片有较好的平坦化效果。
2015年10期 v.40;No.326 770-774页 [查看摘要][在线阅读][下载 619K] [下载次数：142 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：0 ] - 周涛;陆晓东;吴元庆;夏婷婷;
利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对n型插指背接触(IBC)太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。借鉴双极半导体器件抗二次击穿技术,详细分析了不同发射区结深、发射区边缘刻蚀技术和发射区边缘选择性掺杂技术对IBC电池热击穿特性的影响。结果表明:发射区表面浓度越大、结深越深,IBC电池效率越高。当发射区表面浓度为5×1020cm-3、结深为1μm时,转换效率高达23.35%。同时,深结发射区也有助于改善IBC电池的热击穿特性。发射区边缘刻蚀结构不具有改善IBC电池热击穿特性的作用,而发射区边缘选择性掺杂结构可有效改善IBC电池的热击穿特性,从而提高IBC太阳电池组件的可靠性。
2015年10期 v.40;No.326 775-782页 [查看摘要][在线阅读][下载 800K] [下载次数：265 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ]
- 袁芳;谢雪松;张小玲;王改丽;陈君;哈悦;李嘉楠;
介绍了我国海洋环境的特点及其对双极型晶体管特性的影响。基于典型近海仓库贮存环境,以具有代表性的、用量较大的中小功率晶体管为研究对象,具体分析了近海仓库贮存30~40年的双极型晶体管的性能退化情况和失效模式。研究经过了13个环节的筛选检测,统计并分析了晶体管失效情况,并以失效数目最多的筛选环节中失效的晶体管为例,进行了电学参数测试与开帽检查。研究结果表明,击穿电压、反向漏电流与电流增益是相对较敏感的失效参数。
2015年10期 v.40;No.326 783-788页 [查看摘要][在线阅读][下载 752K] [下载次数：170 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：0 ] - 李潇;王珺;
为满足电子设备不断小型化与多功能化的需要,圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)芯片上焊球的尺寸不断缩小,焊球直径达100μm。选用100,150,200,250和300μm SAC(SnAg-Cu)5种不同尺寸焊球的WLCSP芯片样品,经历相同的回流历程,对不同尺寸单个焊球进行剪切实验,从而得到焊球剪切强度和失效模式,抛光截面并测量了焊球金属间化合物(IMC)层的厚度。研究发现,随着焊球直径减小,IMC层厚度呈线性下降,经过回流历程后,IMC厚度随焊球直径增大而增厚,过薄和过厚的IMC层都减弱焊球剪切强度。经过回流后,界面断裂成为主要的断裂模式。
2015年10期 v.40;No.326 789-792页 [查看摘要][在线阅读][下载 833K] [下载次数：291 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：0 ]